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            深圳市烜芯微科技有限公司

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          3. 橋堆
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          7. 30G30D場效應(yīng)管參數(shù),30G30D中文資料

            30G30D場效應(yīng)管參數(shù),30G30D中文資料

            發(fā)布時間:2025-10-31 16:23:59
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            產(chǎn)品概述
            30G30D場效應(yīng)管參數(shù)
            烜芯微生產(chǎn)30G30D場效應(yīng)管,提供30G30D的參數(shù)規(guī)格書,30G30D中文資料與30G30D場效應(yīng)管的引腳圖
            30G30D場效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
            極性:N+P溝道
            Power Dissipation(w)功耗:NPN極15W,PNP極15.3W
            Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:NPN極20A,PNP極-20A
            Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:NPN極30V,PNP極-30V 
            Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±20V
            Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓:NPN極1~2.5V,PNP極-1~-2.5V
            NPN極:Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=10A,VGS=10V:Typ 9.5mΩ Max 13mΩ
            Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=4.5V:Typ 16mΩ Max 22.5mΩ
            PNP極:Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-10A,VGS=-10V:Typ 16mΩ Max 25mΩ
            Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-5A,VGS=-4.5V:Typ 29mΩ Max 40mΩ
            Junction and Storage Temperature Range :結(jié)和儲存溫度范圍:-55 to 150℃
            30G30D場效應(yīng)管封裝為:PDFN3*3-8L
            30G30D
            作用與應(yīng)用
            30G30D場效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中,它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動,實現(xiàn)對負載的精確控制。30G30D廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
            電源管理:30G30D可用作低壓降開關(guān),用于電源管理電路中的電池充放電控制、DC-DC變換器等。
            信號放大:在音頻放大器和低頻放大器中,30G30D可以作為信號放大的關(guān)鍵部件。
            開關(guān)控制:在各種開關(guān)電路中,如LED燈控制、電機控制等,30G30D能提供高效的開關(guān)控制功能。
            模擬開關(guān):在模擬電路中,30G30D可以作為開關(guān)管,用于模擬信號的控制和處理。
            充電管理:在移動設(shè)備和電動車等充電管理系統(tǒng)中,30G30D用于充電過程中的電池保護和充電控制。
            〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
             
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